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單晶爐的正確操作方式

[2014/7/7]

單晶爐在使用前一定要認真的閱讀操作規程,以免發生意外和導致設備的損壞。

1、清爐、裝爐:清洗整個爐室內壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸,調整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對中;將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處,然后將其安裝到上軸末端,進行多晶料的對中;將籽晶裝入籽晶夾頭上,然后將其安裝到下軸頂端;關閉各個爐門,擰緊各緊固螺栓; 

2、抽空、充氣,預熱:打開真空泵及抽氣管道閥門,對爐室進行抽真空,真空度達到所要求值時,關閉抽氣管道閥門及真空泵,向爐膛內快速充入氬氣;當充氣壓力達到相對壓力 1bar-6bar時,停止快速充氣,改用慢速充氣,同時打開排氣閥門進行流氬;充氣完畢后,對多晶硅棒料進行預熱,預熱使用石墨預熱環,使用電流檔,預熱設定點25-40%,預熱時間為10-20分鐘; 

3、化料、引晶:預熱結束后,進行化料,化料時轉入電壓檔,發生器設定點在40-60%;多晶料熔化后,將籽晶與熔硅進行熔接,熔接后對熔區進行整形,引晶; 

4、生長細頸:引晶結束后,進行細頸的生長,細頸的直徑在2-6mm,長度在30-60mm; 

5、擴肩及氮氣的充入:細頸生長結束后,進行擴肩,緩慢減少下速至3±2mm/min,同時隨著擴肩直徑的增大不斷減少下轉至8±4rpm,另外還要緩慢減小上轉至1±0.5rpm;為了防止高壓電離,在氬氣保護氣氛中充入一定比例的氮氣,氮氣的摻入比例相對于氬氣的 0.01%-5%;

6、轉肩、保持及夾持器釋放:在擴肩直徑與單晶保持直徑相差3-20mm時,擴肩的速度要放慢一些,進行轉肩,直至達到所需直徑,單晶保持,等徑保持直徑在75mm-220mm,單晶生長速度1mm/分-5mm/分,在擴肩過程中,當單晶的肩部單晶持器的銷子的距離小于2mm時釋放夾持器,將單晶夾??;

7、收尾、停爐:當單晶拉至尾部,開始進行收尾,收尾到單晶的直徑達到Φ10-80mm,將熔區拉開,這時使下軸繼續向下運動,上軸改向上運動,同時功率保持在40±10%,對晶體進行緩慢降溫。

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